Учёные из Массачусетского технологического института (MIT) представили инновационное решение, которое может перевернуть представления о потреблении энергии в электронике. Новый тип трёхмерных транзисторов, разработанных исследователями, способен работать при значительно меньшем напряжении, чем современные кремниевые аналоги.
Согласно сайту университета, эта особенность может стать ключом к созданию более производительной и энергоэффективной электроники будущего, что особенно актуально на фоне растущего спроса на мощные устройства, поддерживающие системы искусственного интеллекта.
Основой технологии стали ультратонкие полупроводниковые материалы, которые позволили уменьшить минимальное рабочее напряжение, ограниченное ранее так называемой "тиранией Больцмана". Современные кремниевые транзисторы достигли физического предела, препятствующего значительному снижению их энергопотребления. Новые же 3D-транзисторы MIT, оснащённые вертикальными нанопроводами шириной всего несколько нанометров, используют квантовые эффекты, что позволяет сократить энергозатраты без потери производительности.
Компактные размеры и высокая плотность размещения таких транзисторов на чипе открывают перспективы для создания более мощных устройств – от смартфонов до автомобильной электроники, которые будут потреблять меньше энергии. Профессор MIT Хесус дель Аламо отметил, что технология требует дальнейшей доработки перед внедрением в массовое производство, однако уже сейчас ясно, что это значительный шаг вперёд в области микроэлектроники.
