Инженеры американской IT-компании IBM уместили 30 млрд транзисторов на новый чип размером с ноготь. Высокая плотность транзисторов на чипе позволит уменьшить его энергопотребляемость на 75% и на 40% увеличить производительность.
Благодаря этому, срок работы батареи гаджетов будет увеличена в два-три раза. На сегодняшний день наиболее емким транзистором считается процессор Snapdragon 835, который установлен на флагмане Samsung Galaxy S8.
Новое устройство было разработано совместно со специалистами Samsung Electronics и GlobalFoundries. При производстве транзисторов была использована технология «кремниевых нанолистов», при которой электроны проходят через четыре затвора. Примечательно, что в модели FinFET, заряды проходят через три затвора. Именно такой тип используется в транзисторах на 22 и 14 Нм.
Промышленный выпуск новых транзисторов запланирован на 2020 год.
Ранее сообщалось, что международная группа ученых создала проводник толщиной в один атом.
