Сегодня индустрия RAM. Подчеркивают исследователи, достаточно сильно развита, а скорости работы соответствующих устройств становятся значительно выше, но при этом сохраняется один существенный недостаток, который на сегодня преодолеть не удалось. Это касается ее крайне низкой энергоэффективности. Новая магнито-электрическая ОЗУ дает возможность понизить трату энергии на запись и последующее прочтение данных в десятки тысяч раз.
На сегодня полупроводниковая «оперативка» остается эксклюзивным типом «быстрой» памяти, получившей достаточно широкое применение на всех вариациях вычислительных устройств. Конкурирующие оптические либо ферромагнитные технологии имеют серьезные недостатки, не позволяющие сделать их эффективными с коммерческой точки зрения. Этому препятствуют не только высокое тепловыделение, но и невозможность уменьшения соответствующих устройств относительно условий окружающей среды.
Российским физикам удалось создать новый продукт путем склеивания двух кусочков материалов, магнитные свойства которых изменяются при растягивании и сжатии. Полученный объект стал основой для создания новых ячеек магнитоэлектрической памяти, в которых 0 и 1 определяются за счет фиксации направления намагниченности, вместо использования электрического заряда в конденсаторе.
У таких ячеек памяти имеется 2 основных плюса. Во-первых, данные хранятся почти вечно вплоть до первого чтения, поэтому не требуется постоянно обновлять их, в отличии от привычной всем оперативной памяти. Во-вторых, их размер можно снизить до габаритов транзисторов. Авторы этой работы уверены, что во время перехода к небольшим размерам работоспособность нового решения не станет хуже, что позволяет заявлять о перспективности технологии.
Автор: Валерий Антонов
